功能描述：MOSFET N-CH 55V SOT-23

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：210mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：0.5nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：30pF @ 30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：302mW（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4 欧姆 @ 200mA，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-236AB（SOT23）

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：1

BSH111-NXP

BSH112

BSH112,235

BSH112/WK1

BSH113

BSH114

BSH114,215

BSH114215

BSH114T/R

BSH115